Lockheed Martin y Sintavia: creemos en vosotros

Lockheed Martin Corporation (NYSE: LMT) y Sintavia LLC, anunciaron a principios del mes pasado un acuerdo de colaboración para ampliar la investigación sobre posibles aplicaciones de la manufactura aditiva con materiales metálicos como alternativa a la fabricación tradicional mediante forja o fundición.

La manufactura aditiva -también conocida como impresión 3D- representa para los fabricantes de piecerío metálico una capacidad extraordinariamente superior a la que representa la manufactura tradicional mediante forja o fundición, a la hora de obtener piezas de diseño óptimo y mejorar la eficiencia en las cadenas de suministro de las mismas.

Sintavia es un proveedor de servicios de manufactura aditiva que cuenta entre sus clientes principales a Lockheed Martin, cliente al que viene apoyando en sus programas de fabricación de piecerío metálico mediante manufactura aditiva. En este caso la relación entre ambas compañías ha dado un paso más, y este nuevo acuerdo irá encaminado a explorar ciertas tecnologías de manufactura aditiva, más concretamente la fusión de lecho de polvo mediante láser (Laser Powder Bed Fusion - LPBF) la deposición de energía dirigida por haz de electrones (Electron Beam-Directed Energy Deposition - EB-DED) y la manufactura aditiva mediante agitación y fricción (Friction Stir AM).

Esta colaboración está basada en la iniciativa de la Casa Blanca "AM Forward", anunciada por el presidente Joe Biden el pasado mes de mayo, iniciativa destinada a fortalecer las cadenas de suministro de Estados Unidos mediante el apoyo a la implementación de la manufactura aditiva en los procesos fabriles que se lleven a cabo en territorio estadounidense: En palabras de Brian Neff, fundador y CEO de Sintavia, "Sintavia y Lockheed Martin están comprometidos a mejorar la capacidad, la agilidad y la competitividad de la base de suministro industrial de la industria militar, y a tal efecto nuestra asociación con Lockheed Martin busca identificar y optimizar las ineficiencias de fabricación, específicamente en la producción de estructuras críticas de vuelo". Y en palabras de David Tatro -director de procesos de fabricación en Lockheed Martin- "La colaboración de Lockheed Martin con Sintavia demuestra nuestra dedicación a la campaña AM Forward de la Casa Blanca para reducir los costos operativos generales y fortalecer nuestra cadena de suministro nacional, esfuerzos que están en línea con nuestra visión de seguridad del siglo XXI".

El GaN, clave para el 3DELRR

El acrónimo 3DELRR corresponde al radar tridimensional expedicionario de largo alcance (3D Expeditionary Long-Range Radar) que reemplazará completamente a los sistemas AN/TPS-75 para 2029.

El programa dio comienzo en 2009, cuando la USAF abordó la necesidad de reemplazar el anticuado sistema de radar AN/TPS-75. La USAF pretendía que los nuevos módulos fueran el principal sensor terrestre de largo alcance para detectar, identificar, rastrear e informar sobre objetivos aéreos en el campo de batalla. La agencia abrió la fase de desarrollo tecnológico de la adquisición otorgando sendos contratos de I+D a Lockheed Martin Corporation y a Sensis Corporation,  en este ultimo caso con Raytheon como subcontratista principal.

En agosto de 2012, la USAF entró en la siguiente etapa de adquisición de preingeniería, fabricación y desarrollo (Engineering Manufacturing and Development, EMD), otorgando tres contratos de 15 meses a Lockheed, Northrop y Raytheon. Finalmente, el 6 de Octubre de 2014 la USAF otorgó a Raytheon un contrato para fabricar y entregar un total de seis radares 3DELRR. El radar de Raytheon está basado en nitruro de galio (GaN) y opera en la banda C del espectro de radiofrecuencia. Al usar GaN, se consigue aumentar de manera asequible el alcance, la sensibilidad y las capacidades de búsqueda del radar.

Si bien se desconoce la fiabilidad y el rendimiento a largo plazo del GaN, está claro no obstante que ofrece el potencial de proporcionar una mayor eficiencia con menores demandas de potencia y enfriamiento, que el que ofrece la tecnología de semiconductores heredada. Los componentes del nuevo radar incluirán un conjunto de antenas, procesadores de señal y datos, ensamblaje rotativo, sistema de identificación amigo o enemigo y varios otros subsistemas. Las capacidades de radar incluirán, pero no se limitaran a, un rendimiento de detección mejorado para futuros objetivos, protección electrónica, contramedidas de misiles anti-radiación y un diseño de arquitectura de sistemas abiertos.